三星电子将在中国设10纳米级NAND闪存工厂

新华08网首尔1月4日电(报道员权香兰)韩国知识经济部4日宣布，韩国政府已批准三星电子在中国设立10纳米级NAND闪存工厂的申请｡

韩国知识经济部表示，三星电子于2011年12月6日提交申请，希望在中国设立工厂，生产在MP3､手机等储存卡内使用的储存元件｡

该部强调，三星电子在中国扩大投资生产的同时，应防止在韩国国内的生产减少，从而影响韩国国内经济增长以及就业｡为此，三星电子承诺，将继续在韩国国内扩大半导体领域的投资，使韩国国内的半导体工厂不断向高端化进军｡

三星电子表示，下一步将就在中国设立工厂事宜向中国政府相关部门提出申请，获得批准之后将在中国选择厂址，并争取在2013年上半年正式投产｡

10纳米级NAND闪存技术是韩国的国家核心技术之一，在中国设立相关工厂属于技术出口，因此需要向政府进行申报并获得批准｡(完)