三安光电湖南半导体基地一期项目投产

新华财经上海6月24日电 6月23日,总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目正式投产,这是国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合(IDM)生产线。在业内人士看来,作为国内第三代半导体龙头,三安光电持续加大在第三代半导体领域的投资,技术和工艺积累深厚,该项目投产将大力推动国内第三代半导体(即宽禁带半导体)全产业链的发展。

国内首条IDM产线

资料显示,湖南三安半导体基地总投资160亿元,于2020年7月破土动工,规划月产3万片6英寸碳化硅晶圆。三安光电副董事长、总经理林科闯表示,湖南三安半导体的业务涵盖衬底材料、外延生长、晶圆制造及封装测试等环节,可为客户提供高品质准时交付产品的同时,兼具大规模生产的成本优势。

据悉,湖南三安半导体的产品可广泛应用于通信、服务器电源、光伏、新能源汽车主驱逆变器、车载充电机和充电桩、智能电网、轨道交通等领域,将大力推动宽禁带半导体器件的普及。

记者了解到,湖南三安半导体基地全部建成达产后,预计可实现年销售额120亿元,年贡献税收17亿元,将有力促进第三代半导体行业加快发展,带动周边配套产业提供近万个就业机会。

三安光电表示,公司坚持将第三代半导体作为长期可持续发展战略的一部分,会持续加大投入加速产业布局,努力打造具有国际竞争力的半导体制造和服务平台。

在业内人士看来,作为第三代半导体垂直整合(IDM)产业模式的龙头,三安光电致力于打造研发制造服务平台型公司,打造全产业链生产线,有利于形成以长沙高新园区为中心的宽禁带半导体产业聚落,加速上游IC(集成电路)设计公司的设计与验证迭代,缩短下游终端产品上市周期,从而推动产业链繁荣发展。

第三代半导体前景广阔

基于优越的电气性能,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体,可以满足电力电子技术对高温、高功率、高压、高频的新要求,第三代半导体市场规模快速增长,越来越受到业界关注。

相关资料显示,受益于电动车、光伏等第三代半导体电力电子器件市场规模快速增长,全球碳化硅衬底、器件厂商对碳化硅市场预期积极。据Cree(美国科锐)预计,碳化硅衬底及功率器件2024年市场规模分别可达11亿美元、50亿美元;据II-VI(美国二六)预计,到2030年碳化硅市场规模将超300亿美元,2020年至2030年复合增速高达50.60%。

氮化镓应用主要集中于快充、电源开关、LiDAR(激光雷达)、服务器电源等市场。法国研究机构Yole预测,到2023年,氮化镓射频器件的市场规模将达到13亿美元,复合增速为22.9%。

三安光电2020年年报显示,公司子公司三安集成涉及的射频、电力电子、光通讯、滤波器业务取得重大突破,产能逐季爬坡,全年实现销售收入9.74 亿元,同比增长304.83%。

三安集成的国内外客户累计近100 家,并成为国内知名射频设计公司的主力供应商。其电力电子产品主要为高功率密度碳化硅功率二极管、MOSFET 及硅基氮化镓功率器件。


编辑:林郑宏

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