山西烁科晶体自研12英寸高纯半绝缘碳化硅衬底实现全球首发

近日，山西转型综改示范区入区企业山西烁科晶体有限公司（以下简称“山西烁科晶体”）成功研制出12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，属全球首发。同期，山西烁科晶体还成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅单晶衬底。

据介绍，山西烁科晶体位于山西转型综改示范区潇河新兴产业园区，是国内从事第三代半导体材料碳化硅生产和研发的领军企业。该企业基于市场导向开展前瞻性基础技术研究，在技术创新、产业规模、产业链协同等方面均取得了重要突破。

近年来，山西烁科晶体通过自主创新和自主研发，全面掌握了碳化硅生长装备制造、高纯碳化硅粉料制备工艺，在国内率先完成高纯半绝缘碳化硅单晶衬底关键工艺技术攻关，先后攻克了大尺寸扩径工艺和低缺陷N型衬底的生长工艺，拥有碳化硅粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线。

此次12英寸碳化硅单晶衬底的成功研制，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量，在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。

未来，山西烁科晶体将继续聚焦大尺寸碳化硅单晶衬底的产业化技术，持续加大研发投入，充分发挥技术创新引领作用，打造核心竞争优势，从而带动创新链、产业链、生态链的创新与重构，引领行业向更高端化方向发展。（乔建彬 王盼盼）

编辑：赵鼎

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