SK海力士Q2营业利润大增557%仍“未达标” HBM4下半年将扩大生产

新华财经北京7月29日电（胡晨曦） 7月29日，韩国存储巨头SK海力士公布了第二季度财报。数据显示，第二季度SK海力士运营利润同比大增557%，达到60.5万亿韩元，低于预期的64万亿韩元；营收同比增长257%，录得79.3万亿韩元，但低于预期的84万亿韩元；得益于一次性投资收益，该公司净利润飙升1242%，增幅超过市场预期。

SK海力士表示，继上季度上涨后，DRAM和闪存芯片（NAND）价格持续大幅上涨。高附加值产品如高带宽内存（HBM)、人工智能（AI)服务器DRAM和企业级固态硬盘（eSSD）的销售增长，提升了公司业绩。此外，SK海力士称，随着存储芯片供应紧张状况得到缓解，且AI应用服务覆盖面持续拓宽，智能手机与PC业务的增长势头预计将逐步回暖。

受财报影响，SK海力士在美股周二收跌8.89%后，盘后一度再跌9％，但最终盘后收涨1.7%；SK海力士韩股开盘后冲高回落，一度涨近5%，截至发稿，股价跌超10%。

据业内分析，SK海力士第二季度业绩未达到预期，主要归因于三个方面。

首先，由于用于AI加速器的高带宽内存（HBM）在公司总销售额中占比较高，相比竞争对手，其对营业利润的提振作用相对有限。近期半导体行业的利润激增主要由通用存储芯片价格飙升所驱动，而HBM销售占比高的企业从这一趋势中获益较少。

SK海力士表示，HBM4已达到客户要求的运行速度，并具备行业领先的能效和成本竞争力；公司已于第二季度开始批量出货，并计划在下半年扩大产能。此外，公司还宣布已于上半年向主要客户完成了下一代HBM4E产品的样品交付。

其次，尽管存储芯片价格已连续数月上涨并达到高位，但第二季度的涨幅有所放缓。SK海力士财报显示，通用DRAM芯片价格环比涨幅约为30%，NAND闪存价格环比涨幅为50%至55%，与第一季度的涨幅相比增速有所回落。

第三，SK海力士与主要客户签订了长期供应协议（LTA），锁定了销售价格，从而限制了其从市场价格上涨中获益的幅度。据业内人士透露，SK海力士通过将约50%的营收与这些长期合同挂钩，确保了业务的稳定性。公司确认已与包括主要客户在内的约十家客户敲定了LTA谈判。

但SK海力士在电话会上表示，预计长期协议不会导致供应过剩。目前没有看到人工智能投资放缓的迹象，人工智能基础设施投资在2027年以后仍将保持稳健，并且将通过长期协议巩固其在HBM领域的领先地位。

展望三季度，SK海力士预计DRAM出货量环比增长约10%，NAND闪存出货量则环比小幅增长，涨幅为低个位数（1%至4%）。同时预计，2026年全年资本开支将达到40万亿至50万亿韩元区间的高端水平。公司正在推进韩国忠清北道清州市新建的半导体工厂M15X大规模生产，并于2027年初加速韩国京畿道龙仁市Fab1工厂产能扩张。

据金融信息服务商FnGuide预测，SK海力士今年第三季度的销售额和营业利润预计将分别达到约100万亿韩元和78万亿韩元。特别是随着英伟达计划启动新款“Vera Rubin”AI加速器的量产，SK海力士将搭载于该芯片的HBM4产品的销量预计将从下半年起大幅增长。此外，随着AI智能体应用日益普及，存储器需求预计将随之上升；同时，新款智能手机机型的发布也有望进一步加剧存储器供应短缺的局面。

编辑：罗浩

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