科创芯片设计板块走高 机构看好中长期配置价值
国联安基金分析认为,本轮科创芯片设计板块持续走强,并非单一因素驱动,而是全球供给收缩、行业景气反转、国产算力技术突破三重核心逻辑深度共振,叠加海外市场正面情绪传导,共同吸引增量资金集中布局,带动板块行情持续走高。其中,全球氦气供应链持续收紧,资源端供给格局趋于收缩,成为当日板块快速冲高的直接利好催化。
新华财经上海4月27日电(记者 魏雨田)4月27日,科创芯片设计板块盘中强势拉升,新华财经数据显示,其收盘涨幅达到3.82%。自4月以来,科创芯片设计板块累计涨幅已达26.6%,阶段性领跑科技相关赛道。
国联安基金分析认为,本轮科创芯片设计板块持续走强,并非单一因素驱动,而是全球供给收缩、行业景气反转、国产算力技术突破三重核心逻辑共振,叠加海外市场正面情绪传导,共同吸引增量资金集中布局,带动板块行情持续走高。其中,全球氦气供应链持续收紧、资源端供给格局趋于收缩,成为当日板块快速冲高的直接利好催化。
从中长期投资视角来看,国联安基金表示,AI算力需求全面爆发叠加芯片领域国产替代进程全面提速,筑牢科创芯片设计板块上行根基,进一步推升科创芯片设计板块估值。产业端利好密集落地,4月24日DeepSeek-V4预览版正式上线开源,实现与国产算力芯片深度适配。随着大模型推理Token消耗量指数级增长,国产通用处理器(CPU)、图形处理器(GPU)及产业链核心企业迎来估值重估机遇。同时,国产GPU领域领军企业近期业绩亮眼,商业化落地成效显著,其业绩爆发与技术突破,印证国产芯片设计成长潜力,推动板块估值提升。
外部市场层面,国联安基金认为,海外科技芯片板块同步延续强势走势,持续强化A股芯片赛道赚钱示范效应。外围利好行情快速传导至国内资本市场,激发场内资金FOMO(错失恐惧)情绪,增量资金持续扎堆科创芯片设计等高弹性核心赛道,同步带动相关主题ETF净值快速走高,板块短期活跃度与资金承接力度同步提升。
编辑:谈瑞
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